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Hacheur parallèle — Boost (élévateur)

Schéma Boost

Schéma (essentiel)

  • Inductance L en série à l'entrée, interrupteur vers la masse (MOSFET), diode de roue libre, capacité de sortie C, charge R.

Relation tension (CCM, idéal)

  • Tension de sortie: V_out = V_in / (1 - α)
  • α = rapport cyclique (durée ON du MOSFET)

Calculs (conduction continue)

  • Pendant ON: in = V_in / L -> pente di/dt_on
  • Pendant OFF: in = (V_in - V_out) / L -> pente di/dt_off (négative)

  • Ripple d'inductance (crête-à-crête): ΔI_L = V_in * α / (L f_s)

  • Courant moyen dans l'inductance: I_L(avg) = I_load * (V_out / V_in) (car I_L fournit l'énergie au condensateur via la diode)

  • Ripple de tension sur C approximé (dépend du courant de sortie) ΔV_C ≈ ΔI_C / (C f_s) ; pour une approximation on utilise ΔI_C ≈ I_load * α (forme dépendante), mais il est préférable d'analyser la forme réelle du courant de charge.

Contraintes

  • Choisir L pour assurer la CCM: I_L(min)=I_L(avg)-ΔI_L/2 > 0
  • Choisir diode et MOSFET adaptées à V_out et aux courants de crête

Remarques

  • Le rendement est influencé par la conduction diode et les pertes sur l'interrupteur.
  • En CCM, la relation V_out = V_in/(1-α) est directe et utile pour le dimensionnement.